🇯🇵 JAPAN FORDERT DIE HEGEMONIE DER EUV MIT DEM 10NM NANOIMPRINT 🇯🇵
Japan hat gerade einen entscheidenden Schritt in der Runde um fortschrittliche Halbleiter gemacht: Dai Nippon Printing (DNP) hat einen Template für die Nanoimprint-Lithographie (NIL) mit Linien von 10 nm entwickelt, der für Logikbausteine der Klasse 1,4 nm vorgesehen ist. Anstatt UV-Licht zu verwenden, prägt die Technologie das Muster physisch auf den Wafer, wodurch der Energieverbrauch auf etwa ein Zehntel gegenüber EUV und ArF-Immersion sinkt.
Dieser Ansatz kann Teile der EUV-Prozesse ersetzen, was Kosten, technische Komplexität und die Abhängigkeit vom Monopol von ASML bei EUV-Scannern reduziert.
Das Ziel ist klar: Foundries ohne EUV-Schmiede sollen Zugang zur Spitze der fortschrittlichen Nodes für Smartphones, Datacenter und NAND-Speicher erhalten.
DNP hat bereits Bewertungen mit Kunden aufgenommen und zielt auf die Serienproduktion der NIL-Templates im Jahr 2027, parallel zu den von TSMC und Samsung geplanten 1,4-nm-Nodes.
Wenn Defektdichte, Overlay und Durchsatz dem Druck der High-Volume-Produktion standhalten, könnte NIL zum "zweiten Gleis" werden, das Engpässe und Capex der EUV entlastet und die globale Skalierbarkeit fortschrittlicher Chips beschleunigt.